高速MOSFET栅极驱动器光电耦合器-华南微半导体

    FOD3180是一款具有2A输出电流的高速MOSFET栅极驱动光耦合器。它由铝砷化镓（AlGaAs）发光二极管（LED）组成，该二极管与PMOS和NMOS输出功率晶体管集成电路功率级的CMOS检测器光学耦合。

    规格FOD3180：

    •工作电压范围：10V至20V

    •隔离电压：5000Vrms

    •Vf-正向电压：1.43V

    •如果-正向电流：25mA

    •Vr-反向电压：5V

    •功耗：295mW

    •下降时间：55ns

    •上升时间：75ns

    •提供8引脚DIP和SMD封装。

    注意：更多细节可在FOD3180数据表中找到

    相当于FOD3180：6N133

    可选的光耦合器：MOC3021（零交叉），MCT2E（非零晶体管），MOC3041（非零交叉TRIAC），FOD3180（高速MOSFET），PC817、4N25、6N137

    在哪里使用FOD3180光耦合器：

    FOD3180是高速光耦合器。众所周知，光耦合器一词意味着我们使用光间接耦合（隔离）两组电路。FOD3180的工作电压范围为10V至20V，该晶体管的输出电流为8mA，使其适合驱动中级负载。它非常适合高频驱动等离子显示面板（PDP），电机控制逆变器应用和高性能DC-DC转换器中使用的功率MOSFET。

    如何使用FOD3180：

    即使FOD3180既可以使用交流电也可以使用DC，但它仍常用于数字电路，并以5V作为电源电压。FOD3180的应用电路如下所示。

    FOD3180电路图

    电容器0.1uF是引脚5和8之间的旁路电容器。负载（引脚7）由与限流电阻串联的电容器组成。电容器代表功率MOSFET晶体管的栅极至源极电容。输入信号的阻抗至少应为50欧姆，上升时间应大于75ns，以使IC能够响应。

    FOD3180的应用

    •交直流商用电源

    •能源产生与分配

    •工业电机

    •不间断电源供应

    FOD3180的二维模型

    FOD3180IC的尺寸如下。这些尺寸适用于DIP封装。如果您使用不同的封装IC，请参考华南微半导体数据表。