国产高性能光耦继电器！-华南微半导体

　　HCNR201模拟光耦合器由两个对称放置在输入LED之间的光电探测器组成。因此，两个光电探测器接收到的辐射通量基本上是相同的，并构成输入-输出线性传输响应的基础。

　　在内部，HCNR201模拟光耦包括两个光电探测器对称地放置在输入LED之间。因此，由两个光电探测器中的每一个接收的辐射通量基本相同，并且形成输入-输出线性转移响应的基础。与大多数其他直接控制输入端LED的光耦不同，对于HCNR201，输入光检测器通常放置在伺服反馈回路中，通过使用外部运算放大器来控制LED电流。该反馈回路具有补偿任何与温度相关的光输出漂移特性或LED的其他非线性或老化效应的最有利效果。

　　图1显示了在伺服反馈回路中使用HCNR201的基本拓扑。HCNR201以光伏模式连接，因为光电二极管上的电压基本上为零伏。对于光电导操作，光电二极管是反向偏置的，如图2所示。

　　所示的两个运算放大器是两个独立的LM158封装，而不是单个双封装中的两个通道，否则由于双封装的两个运算放大器之间共用接地和Vcc，因此不存在电流绝缘。运算放大器总是试图在其两个输入端以线性反馈、闭环连接的方式保持相同的电压。因此，输入端运算放大器总是试图在光电二极管1（PD1）上放置零伏电压。最大满标度LED电流的设计使其保持在25毫安的绝对最大额定值下。因为，运算放大器连接在一个稳定的负反馈伺服回路中，所以它在两个输入端也保持相同的电压，在这种情况下是零伏。输出电压仅为IPD2xR2。因此，为了建立传递函数，可以写出以下方程：

　　IPD1=VIN/R1（输入光电二极管电流）

　　K3=IPD2/IPD1=1（数据表中显示的传输增益）

　　IPD2=K3xIPD1

　　电压=IPD2xR2

　　图2显示了HCNR201在光电导工作模式下的偏压，其中光电二极管被迫进入反向偏压。在反向偏压下，光电二极管的电容随着耗尽区的增大而降低。因此，对于更高的带宽响应，使用光导配置可能是有利的。推导传递函数的方程与前面讨论的光伏模式类似。当R1为80欧姆时，最大4V的输入电压将使最大光电二极管电流保持在50uA，以实现HCNR201数据表中所示的线性。如前所述，如果需要，可以容易地设置高达100uA或更高的光电二极管电流。

　　华南微半导体是专业的LED光电控制器件、光电耦合器、光MOS继电器、LED外延芯片的高新设计创新型企业，总部位于广东省深圳市南山区高新技术园区内，并在杭州、上海和香港设有研发中心和销售服务支持中心。公司专注于为客户提供高效能、低功耗、低阻值、低电容等各类特殊应用的光电耦合器产品，并可根据客户需要，为客户提供定制类的产品设计及生产，使客户的产品更具有市场竞争优势。本司的高低压继电器光耦具有在行内领先的研发实力，成功设计并量产了60V、400V、600V等不同负载电压、各种负载电流光电耦合继电器，广泛应用于家用电器、智能电网、工业测控、5G通信、工控设备等领域。