MOS光耦被击穿以及解决方案!-华南微半导体

作者:光耦选型工程师来源:华南微半导体

    MOS管为什么会击穿?解决办法是什么?


    首先,MOS管本身的输入电阻很高,栅极和源极之间的电容很小,因此很容易被外部电磁场或静电感应充电,并且电荷量少可以在电极之间的电容上形成很高的电容。电压(U=Q/C)会损坏灯管。尽管MOS输入端子具有防静电保护措施,但仍需要小心处理。最好使用金属容器或导电材料进行存储和运输,不要将其放在容易产生高静电的化学材料或化学纤维织物中。组装和调试时,工具,仪器,工作台等应良好接地。有必要防止由于操作人员的静电干扰而造成的损坏。例如,不适合穿尼龙或化纤衣服。最好在触摸集成块之前将手或工具接地。当设备引线伸直,弯曲或手工焊接时,所用设备必须良好接地。


    其次,导通时,MOS电路输入端的保护二极管的电流容限通常为1mA。当瞬态输入电流过大(超过10mA)时,应将输入保护电阻串联。并且在初始设计中未添加保护电阻,因此这也是MOS管可能击穿的原因,应通过在内部使用保护电阻替换MOS管来防止这种故障。另外,由于保护电路吸收的瞬时能量是有限的,瞬时信号太大和过大的静电电压会使保护电路失效。因此,在焊接过程中,烙铁必须可靠接地,以防止设备输入端子泄漏。一般情况下,电源关闭后,可用烙铁的余热进行焊接,应先焊接接地脚。

国产光耦继电器

    静电的基本物理特征是:有吸引或排斥;有静电。有电场,与地球有电位差。会产生放电电流。这三种情况将对电子组件产生以下影响:


    组件会吸收灰尘,改变线路之间的阻抗,并影响组件的功能和寿命。


    由于电场或电流破坏了组件的绝缘层和导体,因此组件无法工作(完全破坏)。


    由于瞬时电场的软击穿或电流的过热,会损坏该组件,尽管它仍然可以工作,但会损害其使用寿命。


    在上述三种情况下,如果组件完全损坏,则必须在生产和质量测试过程中对其进行检测和消除,以减少影响。如果组件轻微损坏,则在正常测试中不容易找到它。在这种情况下,通常仅在对其进行多次处理甚至使用时才发现损坏。不仅难以检查,而且损失也难以预测。静电对电子元件造成的损害不少于严重的火灾和爆炸事故的损失.


    电子元器件在什么情况下会遭受静电损坏?可以说,电子产品从生产到使用的整个过程都受到静电损害的威胁。从设备制造到插件组装和焊接,整机组装,包装和运输到产品应用,所有这些都受到静电的威胁。在电子产品的整个生产过程中,每个阶段的每个小步骤,静电敏感组件都可能受到静电的影响或破坏。


    华南微半导体是专业的LED光电控制器件、光电耦合器、光MOS继电器、LED外延芯片的高新设计创新型企业,总部位于广东省深圳市南山区高新技术园区内,并在杭州、上海和香港设有研发中心和销售服务支持中心。公司专注于为客户提供高效能、低功耗、低阻值、低电容等各类特殊应用的光电耦合器产品,并可根据客户需要,为客户提供定制类的产品设计及生产,使客户的产品更具有市场竞争优势。  本司的高低压继电器光耦具有在行内领先的研发实力,成功设计并量产了60V、400V、600V等不同负载电压、各种负载电流光电耦合继电器,广泛应用于家用电器、智能电网、工业测控、5G通信、工控设备等领域。


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