用于太阳能和汽车应用的大电流N沟道MOSFET光耦

    华南微半导体推出了新型60V和350V碳化硅N沟道MOSFET光耦系列，从而扩展了其宽带隙（WBG）器件的范围。新型MOSFET具有一个快速的本征二极管，该二极管具有低反向恢复电荷，可显着降低功率损耗，提高工作频率并提高整体解决方案的功率密度。

    借助较小的芯片尺寸，可以增强设备的高频操作，从而降低设备电容并减少栅极电荷，这也减少了高频操作时的开关损耗。器件的低正向电压提供了无阈值的导通状态特性，可减少器件处于导通模式时产生的静态损耗。

    SiCN沟道MOSFET的功能

    •900V设备的额定电流高达118A

    •1200V设备的额定电流高达103A

    •降低的栅极电荷220nC

    •比硅更快的开关频率和更高的可靠性

    •提高效率并降低EMI

    •提高了短路强度

    •坚固，高度可靠且使用寿命更长

    •无铅和无卤

    •符合AEC-Q100和PPAP标准

    注意：该系列的其他Mosfets可以在产品页面上找到。

    新型900V和1200VMOSFET专为要求高增长的应用而设计，例如太阳能逆变器，电动汽车（EV）的车载充电，不间断电源（UPS），服务器电源和EV充电站。对于需要大电流的应用，由于其正温度系数/温度阻抗，MOSFET可以很容易地并联运行。这两款设备系列均采用行业标准的TO-247或D2PAK封装。