华南微半导体IGBT光耦

    华南微半导体公司系列下有一系列高压IGBT。该系列的IGBT均采用非穿孔技术（NPT），具有很低的开关损耗和较低的饱和电压，在开关范围内具有较高的效率，可用于低压开关驱动器的设计。

    这些IGBT的额定电流在前缀表示。例如，HGA15N120IGBT在125°C时的集电极电流额定值为15A，同样，HGA25N120的额定值为25A。数字120表示IGBT的集电极-发射极电压为1200V。

    在何处使用HGA15N120IGBT

    HGA15N120是一种高压IGBT，可用于在25°C下切换高达1200V的高电压值，电流容量为30A。它可以进一步处理高达45A的高脉冲电流，适用于涉及高压和开关电流峰值的应用场合。

    15N120IGBT具有扩展能力，即IGBT不受杂散电感问题的影响。即使集电极发射极电压超过额定电压，它们也不会因为这个特性而击穿。因此，这些IGBT可以用于坚固的开关设计。

    与所有的IGBT一样，HGA15N与mosfet相比，还存在开关速度低、集电极和发射极电压降高的问题。所以，如果你的设计需要高效率和更快的开关设备，那么你应该选择mosfet而不是IGBT。在涉及高开关电压和电流的设计中，IGBT是首选。

    如何使用华南微半导体光耦

    IGBT光耦是MOSFET和BJT的组合，我们可以从它的引脚上注意到。它在输入端有类似于MOSFET的栅极，在输出端有类似于BJT的集电极和发射极。这表明IGBT是一个简单的MOSFET与BJT在其输出端耦合，以利用MOFET和BJT的优点。

    与IGBT中的MOSFET类似，栅极引脚必须以最小的栅极电压触发才能关闭开关。在FGA15N120中，最小栅极饱和电压为4.5V，但通常在设计中使用5V，所需的栅极触发电压可使用必须切换的集电极发射极电压和集电极电流计算得出。